近期，廣東省科技創(chuàng)新大會公布了2019年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎獲獎名單，惠州雷士光電科技有限公司與華南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院、中國電子科技集團公司第十八研究所等企事業(yè)單位聯(lián)合完成的“III-V族化合物半導(dǎo)體材料及器件的界面調(diào)控技術(shù)”項目獲得省科學(xué)技術(shù)發(fā)明獎一等獎。

   技術(shù)發(fā)明獎

   技術(shù)發(fā)明獎

   廣東省人民政府官網(wǎng)公告鏈接：
   III-V族化合物半導(dǎo)體是國家在先進(jìn)材料領(lǐng)域重點發(fā)展的戰(zhàn)略方向，所制備的半導(dǎo)體器件在國民經(jīng)濟和國防建設(shè)等領(lǐng)域發(fā)揮至關(guān)重要的作用。然而，界面問題貫穿于“材料生長→結(jié)構(gòu)設(shè)計→器件制程”的全線程，是實現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
   雷士照明科研團隊通過產(chǎn)學(xué)研協(xié)同攻關(guān)，發(fā)明III-V族半導(dǎo)體的低溫外延生長技術(shù)、設(shè)計多種異質(zhì)界面結(jié)構(gòu)以及高效的晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)，解決了III-V族化合物半導(dǎo)體材料與器件的界面問題。采用該技術(shù)，項目組研制了多種新型高性能III-V族半導(dǎo)體器件，并已應(yīng)用于多家國內(nèi)知名企業(yè)的生產(chǎn)中：“量產(chǎn)的Si襯底上垂直結(jié)構(gòu)大功率LED芯片，光效超過200 lm/W@350 mA；量產(chǎn)的型號衛(wèi)星用GaAs多節(jié)太陽電池，光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)31.64%；5G通信用單晶AlN高性能FBAR濾波器，插入損耗低至1.9 dB”。產(chǎn)品性能均不同程度優(yōu)于國內(nèi)外同類產(chǎn)品，已分別應(yīng)用于國內(nèi)外多項重大照明工程、空間衛(wèi)星及載人空間站等國家航天戰(zhàn)略工程、中興和華為的通信基站，近三年累計新增銷售逾 32 億元（直接效益 17.8 億元、間接效益 14.8 億元） ，推動了我國的國民經(jīng)濟發(fā)展和國防建設(shè)。
   本項目技術(shù)是適用于不同 III-V 族化合物半導(dǎo)體器件研發(fā)與生產(chǎn)的通用發(fā)明技術(shù)。相關(guān)技術(shù)在雷士照明、 華為、 中興通訊、 創(chuàng)維、 上�？臻g電源研究所（811所） 、中電科 55、 18 及 7 所等單位開展了“產(chǎn)學(xué)研”合作，擺脫了國外在相關(guān)核心技術(shù)上的封鎖，解決了我國多項“卡脖子”技術(shù)難題， 實現(xiàn)了 III-V 族化合物半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化。
   雷士照明將以此為契機，繼續(xù)深耕科研創(chuàng)新工作，在照明科技領(lǐng)域為世界帶來更多的驚喜和可能！